1.存储器的分类：
内存是存储器的一种，
内存小知识
。存储器是计算机的重要组成部分，按其用途可分为主存储器（MainMemory，简称主存）和辅助存储器（Auxiliary Memory，简称辅存），主存储器又称内存储器（简称内存），辅助存储器又称外存储器（简称外存）。外存通常是磁性介质或光盘，能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息。2．内存的分类：
内存的物理实质是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路。内存按存储信息的功能可分为只读存储器ROM（Read Only Memory）、可改写的只读存储器EPROM（Erasable Programmable ROM）和随机存储器RAM（Random Access Memory）。ROM中的信息只能被读出，而不能 作者修改或删除，故一般用于存放固定的程序，如监控程序、汇编程序等，以及存放各种表格。EPROM和一般的ROM不同点在于它可以用特殊的装置擦除和重写它的内容，一般用于软件的开发过程。RAM就是我们平常所说的内存，主要用来存放各种现场的输入、输出数据，中间计算结果，以及与外部存储器交换信息和作堆栈用。它的存储单元根据具体需要可以读出，也可以写入或改写。由于RAM由电子器件组成，所以只能用于暂时存放程序和数据，一旦关闭电源或发生断电，其中的数据就会丢失。现在的RAM多为MOS型半导体电路，它分为静态和动态两种。静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的；动态RAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。由于电容上的电荷会泄漏，需要定时给与补充，所以动态RAM需要设置刷新电路。但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。所以主内存通常采用动态RAM，而高速缓冲存储器（Cache）则使用静态RAM。另外，内存还应用于显卡、声卡及CMOS等设备中，用于充当设备缓存或保存固定的程序及数据。
3．有关内存的常见技术指标：
接下来我们来谈谈有关内存的人们普遍关心的各种技术指标，一般包括引脚数、容量、速度、奇偶校验等。引脚数可以归为内存模组的接口类型，这里不再赘述。容量这一指标是我们比较关心的，因为它将直接制约系统的整体性能。另外，内存条是否以完整的存储体（Bank）为单位安装将决定内存能否正常工作，这与计算机的数据总线位数是相关的，不同机型的计算机，其数据总线的位数是不同的。内存条通常有16MB、32MB、64MB、128MB、256MB等容量级别，其中64MB、128MB内存已成为当前的主流配置，而用于诸如图形工作站的内存容量已高达512MB或1G，甚至更高。内存条芯片的存取时间是内存的另一个重要指标，其单位以纳秒（ns）度量，换算关系为 1ns = 10-3us = 10-6ms = 10-9s ，
电脑资料
《内存小知识》(https://www.unjs.com)。常见的有5、6、7、8、10ns等几种，这个数值越小，存取速度越快，但价格也便随之上升。在选配内存时，应尽量挑选与CPU 时钟周期相匹配的内存条，这将有利于最大限度的发挥内存条的效率。内存慢而主板快，会影响CPU的速度，还有可能导致系统崩溃；内存快而主板慢，结果只能是大材小用。所以，对于DIY一族决不应忽视对内存条的选购。内存条有无奇偶校验位是人们常常忽视的问题，奇偶校验对于保证数据的正确读写起到很关键的作用，尤其是在进行数据量非常大的计算中。标准型的内存条有的有校验位，有的没有；非标准的内存条均有奇偶校验位。另外，对于常见机型中，有无奇偶校验位一般均可正常工作，但需要注意的是，在CMOS的SETUP中的设置必须与实际的内存条情况相一致，同时，这也导致一台计算机中内存条的配置要么都带奇偶校验位，要么都不带，决不可混用。4．目前和未来的的内存
目前在市场上还是SDRAM占统治地位，是目前的主流内存。但是随着内存技术蓬勃发展，几个大厂商都在加紧自己新型内存技术的发展，其中尤以RDRAM和DDR的较量最为激烈，可以预料未来将是RDRAM和DDR的天下。
下面将分别介绍这几种内存。
SDRAM：SDRAM（Synchronous DRAM）的中文名字是“同步动态随机存储器”，这就是目前主推的PC100和PC133规范所广泛使用的内存类型，它的带宽为64bit，3.3 V电压，目前产品的最高速度可达5ns。它是与CPU使用相同的时钟频率进行数据交换，它的工作频率是与CPU的外频同步的，不存在延迟或等待时间。
DDR SDRAM：又简称DDR，是“双倍速率SDRAM”的意思，由于它可以在时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输，所以即使在133MHz的总线频率下的带宽也能达到2.128GB/S。DDR不支持3.3V电压的LVTTL，而是支持2.5V的SSTL2标准。它仍然可以沿用现有SDRAM的生产体系，制造成本比SDRAM略高一些（约为10%左右）。
RDRAM：Direct Rambus DRAM（DRDRAM）“接口动态随机存储器”，这是Intel所推崇的未来内存的发展方向，它将RISC（精简指令集）引入其中，依靠高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量。它具有相对SDRAM较高的工作频率（不低于300MHz），但其数据通道接口带宽较低，只有16bit，当工作时钟为300MHz时，Rambus利用时钟的上沿和下沿分别传输数据，因此它的数据传输率能达到300×16×2÷8=1.2GB/S，若是两个通道，就是2.4GB/S。它与传统DRAM的区别在于引脚定义会随命令变化，同一组引脚线既可以被定义成地址线也可以被定义成控制线。其引脚数仅为普通DRAM的三分之一。当需要扩展芯片容量时，只需要改变命令，不需要增加芯片引脚。DRDRAM要求RIMM中必须都插满，空余的插槽中必须插上传接板（也叫终结器）。