基于氮氧化物的高k栅介质研究现状

基于氮氧化物的高k栅介质研究现状

摘要： 氮氧化物在MOS器件高k栅介质研究中得到了广泛的重视.本文从材料、工艺、性能等角度综述了目前氮氧化物的研究进展,对氮化改性应用于高k栅介质的利弊作了重点探讨. 作 者： 徐文彬    王德苗   作者单位： 徐文彬(集美大学信息工程学院,福建厦门,361021)

王德苗(浙江大学信电系,浙江杭州,310027) 

期 刊： 科技创新导报    Journal： SCIENCE AND TECHNOLOGY INNOVATION HERALD  年，卷(期)： 2010, (8)  分类号： X701  关键词： 氮氧化物    栅介质    氮化   

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