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Ag纳米颗粒对富Ag二氧化硅薄膜电致发光谱的影响
摘要:利用磁控溅射和热退火在硅衬底上制备了Ag纳米颗粒镶嵌的氧化硅薄膜(SiO2∶ Ag),制作了电致发光结构ITO/SiO2∶Ag/p-Si,观测到了可见区的电致发光.发现薄膜中的Ag纳米颗粒不仅成倍地提高器件的发光强度,还明显地移动电致发光的峰位.Ag含量越高,颗粒越大,发光峰位越红移.氧化硅中的发光中心与纳米Ag间的电磁相互作用,可用来定性解释这一实验结果.这种效应可把低效发光的材料转换为相对高效的发光材料. 作者: 冉广照文杰尤力平徐万劲 Author: RAN Guang-zhao WEN Jie YOU Li-ping XU Wan-jin 作者单位: 人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学物理学院,北京100871 期 刊: 光谱学与光谱分析 ISTICEISCIPKU Journal: Spectroscopy and Spectral Analysis 年,卷(期): 2011, 31(9) 分类号: O482.3 关键词: 电致发光 Ag纳米颗粒 局域表面等离激元 机标分类号: O43 TN2 机标关键词: 纳米颗粒 二氧化硅薄膜 电致发光谱 电磁相互作用 实验结果 发光中心 发光强度 发光结构 发光峰位 发光材料 定性解释 磁控溅射 SiO2 热退火 硅衬底 转换 制作 制备 移动 效应 基金项目: 国家自然科学基金,国家(973计划)项目【Ag纳米颗粒对富Ag二氧化硅薄膜电致发光谱的影响】相关文章:
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