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自发发射因子调制下微腔半导体激光器的抗噪声性能
在伴随信号的噪声为加性白噪声和大输入信噪比的前提下,采用小信号近似的方法,对微腔半导体激光器的自发发射因子调制进行了频域分析,得到了实际语音信号输入下不同参数下的信噪比增益.数值模拟的结果表明,如带通滤波器的通带范围取300～3400Hz,激光器的抗噪声性能随偏置电流变化出现振荡现象;当带通滤波器的通带范围增大到一定程度,调整偏置电流和腔内参数可以实现半导体激光器的高抗噪声性能.
作 者： 王英龙 褚立志 郑云龙 周阳 张荣梅 阎正 尚勇 作者单位： 河北大学物理科学与技术学院,河北,保定,071002 刊 名： 中国激光 ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LASERS 年，卷(期)： 2004 31(z1) 分类号： O433.2 关键词： 微腔半导体激光器 自发发射因子调制 抗噪声性能【自发发射因子调制下微腔半导体激光器的抗噪声性能】相关文章：
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