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新型声表面波器件中氧化锌薄膜的研制
本文采用直流磁控反应溅射法,在单晶Si(110),Al/Si,Diamond/Si三种衬底上分别生长出了高度c轴取向的ZnO薄膜.此薄膜具有高质量的纳米级结晶度(10nm～30nm),良好的表面平整度(低于10nm),高于107Ω·cm的电阻率及较高的应力承载性,很好的满足了薄膜声表面波(SAW)器件制备及降低损耗的需要.通过改变工作气压,氩氧比等工艺参数,较系统地探索了ZnO薄膜的制备条件.采用多种分析手段,如X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),高能反射式电子衍射(RHEED),原子力显微镜(AFM)等对薄膜的微观结构及结晶品质进行了测试分析,并对薄膜的电学性能及机械性能进行了考察.
作 者： 作者单位： 刊 名： 真空科学与技术学报 ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY 年，卷(期)： 2004 24(z1) 分类号： O429 TN65 关键词： ZnO薄膜 c轴取向 声表面波【新型声表面波器件中氧化锌薄膜的研制】相关文章：
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