X射线存储材料Si4+掺杂BaFBr:Eu2+中电子陷阱的研究

X射线存储材料Si4+掺杂BaFBr:Eu2+中电子陷阱的研究

在BaFBr:Eu2+中掺入Si4+合成了一种新的X射线影像板材料,其主要光激励发光(PSL)性能,如射线敏感度和长波可激发性都优于低价阳离子掺杂的BaFBr∶Eu2+.用喇曼和顺磁共振(EPR)等手段表征了掺Si4+后BaFBr∶Eu2+中电子陷阱的结构,并根据此结构解释了其激发波长的红移量比其它低价阳离子掺杂都高的原因.

作 者： 郑震 熊光楠 余华 张丽平 马宇平 程士明 严晓敏   作者单位： 郑震,熊光楠,张丽平,马宇平(天津理工大学材料物理研究所,天津,300191)

余华(南开大学物理学院,天津,300071)

程士明,严晓敏(复旦大学分析测试中心,上海,200433) 

刊 名： 光电子·激光  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF OPTOELECTRONICS·LASER  年，卷(期)： 2004 15(1)  分类号： O482.3  关键词： BaFBr:Eu2+   Si4+   电子陷阱   红移   光激励发光(PSL)   BaFBr∶Eu2+   Si4+   electron traps   red shift   photo stimulated luminescence(PSL)  

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