硅衬底上Zn1-xMgxO薄膜的结构与光学性质

硅衬底上Zn1-xMgxO薄膜的结构与光学性质

采用脉冲激光法(PLD)在Si衬底上沉积Zn1-xMgxO薄膜.x射线衍射(XRD)表明薄膜为c轴取向,(002)峰的半高宽仅为0.211°,且没有MgO的相偏析.透射电子显微镜可以清楚看到Zn1-xMgxO薄膜的c轴择优取向.在选区电子衍射图中可以看到Zn1-xMgxO结晶薄膜整齐的衍射斑点.室温下对Zn1-xMgxO薄膜进行了光致荧光光谱分析,发现其带边发射峰相对ZnO晶体有0.4eV的蓝移,带边发射峰与杂质发射峰的强度之比高达159.Zn1-xMgxO结晶薄膜质量良好,显示了应用于光电器件的潜力.

作 者： 邹璐 汪雷 黄靖云 赵炳辉 叶志镇   作者单位： 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027  刊 名： 物理学报  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2003 52(4)  分类号： O4  关键词： Zn1-xMgxO合金薄膜   硅衬底   脉冲激光沉积法   c轴取向   光致荧光光谱  

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