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纳米ZnO生长及性质分析
利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在表面含有ZnO颗粒作为催化剂的Si(111)衬底上制备了ZnO纳米柱阵列.采用X射线衍射(XRD)、喇曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱分析了样品的晶体结构质量、表面性质和光学性质.结果表明,生长出来的纳米ZnO具有较好的c轴择优取向性.发现氧分压对ZnO纳米柱的生长有重要影响:当氧分压较低时,生长基于VLS机制;当氧分压较高时,生长基于VS机制;通过对N2O流量的控制可实现对ZnO纳米材料的可控生长.
作 者： 刘少波 顾书林 刘伟 张丹羽 刘雪冬 朱顺明 丁维平 张荣 郑有炓 LIU Shao-bo GU Shu-lin LIU Wei ZHANG Dan-yu LIU Xue-dong ZHU Shun-ming DING Wei-ping ZHANG Rong ZHENG You-liao 作者单位： 刘少波,顾书林,刘伟,刘雪冬,朱顺明,张荣,郑有炓,LIU Shao-bo,GU Shu-lin,LIU Wei,LIU Xue-dong,ZHU Shun-ming,ZHANG Rong,ZHENG You-liao(南京大学,物理系,江苏,南京,210093)张丹羽,丁维平,ZHANG Dan-yu,DING Wei-ping(南京大学,化学化工学院,江苏,南京,210093)
刊 名： 发光学报 ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE 年，卷(期)： 2008 29(3) 分类号： O482.31 关键词： ZnO'纳米柱 气-液-固/气-固生长机制 低压金属有机化学气相沉积法【纳米ZnO生长及性质分析】相关文章：
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