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P-MBE制备氮掺杂p型ZnO中空穴的散射机制
利用等离子体辅助的分子束外延(P-MBE)技术,在蓝宝石衬底上制备了氮掺杂的p型ZnO薄膜.通过变温霍尔测量研究了空穴浓度和迁移率随温度的变化特性.对载流子浓度拟合的结果表明氮受主具有75 meV的能级深度.通过对各种散射机制下迁移率的讨论,发现由晶粒及其晶界组成的这种结构极大地降低了p型ZnO中载流子的迁移率.
作 者： 孙建武 吕有明 刘益春 申德振 张振中 李炳辉 张吉英 姚斌 赵东旭 范希武 SUN Jian-wu LU You-ming LIU Yi-chun SHEN De-zhen ZHANG Zhen-zhong LI Bing-hui ZHANG Ji-ying YAO Bin ZHAO Dong-xu FAN X W 作者单位： 孙建武,SUN Jian-wu(中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;中国科学院,研究生院,北京,100049)吕有明,刘益春,申德振,张振中,李炳辉,张吉英,姚斌,赵东旭,范希武,LU You-ming,LIU Yi-chun,SHEN De-zhen,ZHANG Zhen-zhong,LI Bing-hui,ZHANG Ji-ying,YAO Bin,ZHAO Dong-xu,FAN X W(中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033)
刊 名： 发光学报 ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE 年，卷(期)： 2008 29(3) 分类号： O472.4 关键词： 氧化锌 p型掺杂 散射机制 P-MBE【P-MBE制备氮掺杂p型ZnO中空穴的散射机制】相关文章：
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