n型硅微尖场发射电子能谱的模拟计算

n型硅微尖场发射电子能谱的模拟计算

结合金属的场发射电子能谱,模拟计算了场渗透对n型半导体硅微尖的场发射能谱的影响,并与n型硅微尖的场发射能谱实验结果进行了比较,讨论了模拟计算误差的来源.计算结果表明电场渗透现象导致硅的场发射能谱向低能方向偏移,表面电场越高,能谱的偏移量越大,其偏移程度可超过1 eV.导致硅微尖的场发射能谱偏移的主要因素是半导体的场渗透现象.

作 者： 元光 曹崇龙 宋翠华 宋航 屿拹秀隆 三村秀典 YUAN Guang CAO Chong-long SONG Cui-hua SONG Hang Shimawaki Hitetaka Mimura Hitenori   作者单位： 元光,曹崇龙,宋翠华,YUAN Guang,CAO Chong-long,SONG Cui-hua(中国海洋大学,物理系,山东,青岛,266100)

宋航,SONG Hang(中国科学院,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033)

屿拹秀隆,三村秀典,Shimawaki Hitetaka,Mimura Hitenori(日本静冈大学,电子工学研究所,日本滨松) 

刊 名： 发光学报  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2008 29(3)  分类号： O462.4 TN873.95  关键词： 场发射   电子能谱   硅微尖   电场渗透  

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