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MgB2超导体含碳掺杂研究进展
MgB2超导体具有临界转变温度39 K、原材料廉价及制备工艺简单等优点,被认为是MRI中已用超导体最好的替代者.但是临界电流密度(Jc)随外加磁场增大下降较快的这一问题极大的阻碍了其实际中的应用.实验结果表明:采取掺杂的方法来提高MgB2的超导电性尤其是高场下Jc值是一条有效的途径,本文概述了用单质碳和含碳化合物对MgB2超导体进行掺杂从而提高其超导特性的最新研究工作,具体介绍了掺杂物颗粒大小、掺杂量以及烧结温度等参数对MgB2超导电性的影响.研究表明:在碳单质掺杂中纳米级碳颗粒和碳纳米管具有比较好的掺杂性能,可以大幅度提高高场下的Jc值;在含碳化合物中,用纳米级SiC进行掺杂不仅可以大幅度提高高场下的Jc值,而且相比碳单质有更高的Tc值.根据目前的研究结果,最后本文对MgB2超导体掺杂研究的未来发展趋势进行了展望.
作 者: 张子立 索红莉 马麟 高培阔 王朝 刘敏 曹玲柱 赵跃 李亚明 周美玲 ZHANG Zi-li SUO Hong-li MA Lin CAO Pei-kuo WANG Zhao LIU Min CAO Ling-zhu ZHAO Yue LI Ya-ming ZHOU Mei-ling 作者单位: 北京工业大学材料学院,国家教育部功能材料重点实验室,北京,100022 刊 名: 低温物理学报 ISTIC PKU 英文刊名: CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS 年,卷(期): 2008 30(3) 分类号: O51 关键词: MsB2超导体 临界电流密度Jc 含碳掺杂【MgB2超导体含碳掺杂研究进展】相关文章:
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