MgB2中Mn元素掺杂引起的无序

MgB2中Mn元素掺杂引起的无序

我们合成了Mn掺杂的MgB2的多晶样品Mg1-xM2xB2(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04),并测量了相关的超导电性,发现超导转变温度随着Mn含量的增加急剧下降.晶格常数a、b基本上保持不变,而晶格常数c却随着掺杂量的增加而减小,通过对比Mn、Fe、Al掺杂引起的晶格常数c的变化,我们得出Mn是以三价的形式进人MgB2晶格,Mn掺杂引入的无序导致Raman峰宽随着Mn掺杂量的增加而增大,同时也抵消了Mn3+引入的电子填充效应,从而使Raman峰位并没有随Mn掺杂量的增加而发生明显移动.

作 者： 张尚明 石磊 张华荣 SHI Lei ZHANG Shang-ming ZHANG Hua-rong   作者单位： 张尚明,石磊,SHI Lei,ZHANG Shang-ming(中国科学技术大学微尺度物质科学国家实验室,合肥,230026)

张华荣,ZHANG Hua-rong(河南大学物理与光电子信息学院,开封,475001) 

刊 名： 低温物理学报  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS  年，卷(期)： 2008 30(3)  分类号： O51  关键词： MgB2   Mn掺杂   RAMAN光谱  

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