价层轨道平均能与掺杂二硼化镁体系临界电流密度的关系

时间:2023-04-26 21:06:31 数理化学论文 我要投稿
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价层轨道平均能与掺杂二硼化镁体系临界电流密度的关系

本文研究了掺杂二硼化镁超导体系的原子价层轨道平均能IEMI与临界电流密度Jc之间的关系,发现它们之间有较好的规律性.全部阳离子和阴离子的价层轨道平均能的平均值主要集中在10.12eV至11.29eV之间,阳离子与阴离子价层轨道平均能的平均值之差IDEI几乎都集中在3.59eV至4.98eV之间.对于理解晶格上电子的静电作用与超导机理的联系是很有帮助的.

作 者: 杨国峰 孙爱民 张秀娥 王顺青 张涛 黄国海 朱海滨 YANG Guo-feng SUN Ai-min ZHANG Xiu-e WANG Shun-qing ZHANG Tao HUANG Guo-hai ZHU Hai-bin   作者单位: 西北师范大学物理与电子工程学院,兰州,730070  刊 名: 低温物理学报  ISTIC PKU 英文刊名: CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS  年,卷(期): 2008 30(3)  分类号: O51  关键词: 价层轨道平均能   掺杂二硼化镁   临界电流密度  

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