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用偏振差分透射谱技术测量半导体晶体片应力分布
利用偏振差分透射谱测量了2英寸圆形GaAs晶片、自支撑GaN衬底和蓝宝石衬底等的双折射分布,通过弹光效应换算得到了晶片内部残余应力分布.测量得到的应力反映的是晶片各个点的[110]和[110]方向的应变差.实验测量得到的GaAs晶片和自支撑GaN 衬底的[110] 和[110]的应变差最大可以达到10-5数量级.蓝宝石衬底的可以达到10-6数量级.因此TDS可以对透明或者半透明晶片的应力分布实现快速、实时、无损、高灵敏度检测.
作 者： 周振宇 陈涌海 ZHOU Zhen-yu CHEN Yong-hai 作者单位： 中国科学院半导体研究所,北京,100083 刊 名： 硅酸盐通报 ISTIC PKU 英文刊名： BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY 年，卷(期)： 2008 27(3) 分类号： O471.1 关键词： 偏振差分透射谱 各向异性 内应力【用偏振差分透射谱技术测量半导体晶体片应力分布】相关文章：
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