射频感应耦合等离子体调谐基片自偏压特性的进一步研究

射频感应耦合等离子体调谐基片自偏压特性的进一步研究

在已有的调谐基片自偏压研究的基础上,进一步研究了基片台空间轴向位置对基片自偏压-调谐电容曲线的影响;研究了基片分支串联电阻对基片自偏压的影响,发现了在电阻值区自偏压自振荡现象;在不同的放电参数下,采用自制诊断工具测量了射频感应耦合等离子体电子温度、电子密度等参量的空间分布.并对基片自偏压相应的实验现象给出了物理模型解释.

作 者： 霍伟刚 杨艳 刘成森 丁振峰 HUO Wei-gang YANG Yan LIU Cheng-sen DING Zhen-feng   作者单位： 霍伟刚,刘成森,HUO Wei-gang,LIU Cheng-sen(辽宁师范大学,物理与电子技术学院,辽宁,大连,116029)

杨艳,YANG Yan(大连水产学院,生命科学技术学院,辽宁,大连,116023)

丁振峰,DING Zhen-feng(大连理工大学,物理系,辽宁,大连,116024) 

刊 名： 辽宁师范大学学报（自然科学版）  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF LIAONING NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)  年，卷(期)： 2008 31(2)  分类号： O539  关键词： 射频等离子体   调谐基片自偏压   正反馈  

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