射频功率对硼碳氮薄膜的组分和厚度的影响

射频功率对硼碳氮薄膜的组分和厚度的影响

利用射频磁控溅射方法以不同的射频功率(80～130 W)在硅衬底上制备出一组硼碳氮(BCN)薄膜.傅里叶红外吸收光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)测量发现样品的组成原子之间均实现了原子级化合.射频功率对薄膜的组分和厚度有很大影响,二者随射频功率的增大而呈规律性变化.B、N元素含量高、C元素含量低的硼碳氮薄膜较厚.并且,射频功率为110 W条件下制备的硼碳氮薄膜中C元素含量最低,薄膜最厚.

作 者： 王玉新 郑亚茹 宋哲 冯克成 WANG Yu-xin ZHENG Ya-ru SONG Zhe FENG Ke-cheng   作者单位： 王玉新,郑亚茹,宋哲,WANG Yu-xin,ZHENG Ya-ru,SONG Zhe(辽宁师范大学,物理与电子技术学院,辽宁,大连,116029)

冯克成,FENG Ke-cheng(长春理工大学,理学院,吉林,长春,130022) 

刊 名： 辽宁师范大学学报（自然科学版）  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF LIAONING NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)  年，卷(期)： 2008 31(2)  分类号： O484.1  关键词： 射频磁控溅射   硼碳氮薄膜   X射线光电子能谱   射频功率  

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