He注入单晶Si表面形貌的变化研究

He注入单晶Si表面形貌的变化研究

沿Si的(100)面注入He离子, 能量为30 keV、剂量为5×1016 ions/cm2. 注入后样品切成几块, 在真空炉中分别做退火处理, 退火温度从600 ℃到1 000 ℃, 退火时间均为30 min. 利用原子力显微镜研究了各个样品表面形貌的演化. 发现样品表面形貌与退火温度相关联. 假设在气泡中He原子与空位的比值很高, 导致样品内部存在高压的He泡, 从而使样品表面形貌发生变化. 探讨了在Si中He泡随退火温度的演化和He原子在材料中的释放机制及其对表面的影响.

作 者： 李炳生 张崇宏 杨义涛 周丽宏 LI Bing-sheng ZHANG Chong-hong YANG Yi-tao ZHOU Li-hong   作者单位： 李炳生,杨义涛,周丽宏,LI Bing-sheng,YANG Yi-tao,ZHOU Li-hong(中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州,730000;中国科学院研究生院,北京,100049)

张崇宏,ZHANG Chong-hong(中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州,730000) 

刊 名： 原子核物理评论  ISTIC PKU 英文刊名： NUCLEAR PHYSICS REVIEW  年，卷(期)： 2008 25(2)  分类号： O613.72  关键词： 单晶Si   离子注入   He泡   原子力显微镜   表面形貌  

【He注入单晶Si表面形貌的变化研究】相关文章：

膨胀石墨的形貌结构与表面功能基团的XPS研究04-27

硅、锗材料在Si(100)表面的生长研究04-27

黄铁矿晶体形貌学研究进展04-27

教案 表面积的变化04-25

电化学方法制备Si阵列微孔的工艺研究04-26

颗粒物表面酸碱特性与孔表面分形的研究04-25

《表面积的变化》的教案设计08-25

Sm(Ⅲ)(HE)3配合物与DNA作用方式的光谱研究04-26

钛膜表面氧气氧化层研究04-27

How old is he05-04