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电子储存环中插入元件的非线性束流动力学的Lie代数方法
介绍了用能保证哈密顿系统"辛"性质的Lie映射方法来研究电子储存环中的插入元件对束流动力学的影响.并以此方法对合肥光源中将要安装的波荡器UD-1对储存环的影响作了初步的研究.
作 者： 李永军 王琳 冯光耀 徐宏亮 李为民 刘祖平 作者单位： 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029 刊 名： 高能物理与核物理 ISTIC SCI PKU 英文刊名： HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS 年，卷(期)： 2003 27(9) 分类号： O4 关键词： 电子储存环 插入元件 哈密顿系统 Lie代数和Lie映射【电子储存环中插入元件的非线性束流动力学的Lie代数方法】相关文章：
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