脉冲腐蚀法制备的多孔硅对乙醇气体的响应

脉冲腐蚀法制备的多孔硅对乙醇气体的响应

采用电化学脉冲腐蚀法,在P型单晶硅片上制备了多孔硅(Porous Silicon,PS).以制备的多孔硅为传感元件,利用电感耦合器件(CCD)记录了乙醇蒸汽的反射干涉图.反射光谱经IGOR软件进行傅里叶变换后,得到多孔硅的光学厚度值,并以此为依据探讨多孔硅对乙醇蒸汽的传感特性.实验结果表明,当PS膜暴露于乙醇蒸汽中时,反射谱吸收峰位发生红移,相应的光学厚度也发生红移;当乙醇气体体积分数大于500×10-6时,PS的光学厚度急剧增大.

作 者： 黎学明 杨金瑞 杨根岭 LI Xue-ming YANG Jin-rui YANG Gen-ling   作者单位： 重庆大学化学化工学院,重庆,400030  刊 名： 重庆工学院学报（自然科学版）  ISTIC 英文刊名： JOURNAL OF CHONGQING INSTITUTE OF TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2009 23(8)  分类号：   关键词： 多孔硅   法布里-珀罗干涉   脉冲腐蚀   光学厚度   传感  

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