非相干光四波混频研究半导体光放大器超快过程

非相干光四波混频研究半导体光放大器超快过程

具体推导了相位共轭型非相干光时延四波混频信号强度随时间延迟的一般变化规律.结果表明:对于用有限线宽非相干光激发源非相干光时延四波混频信号强度随时间延迟的变化规律具有对称性,且强度峰与激发光场带宽成正比,与纵向弛豫速率成反比.这一结果为利用发光二极管作抽运源研究半导体光放大器及有源光波导超快动力学过程提供了理论基础.进而提出了用发光二极管结构的非相干光时延四波混频测量有源介质带间和带内载流子弛豫速率的有效方案.

作 者： 胡振华 黄德修 孙军强 张新亮 高劭宏   作者单位： 胡振华(华中科技大学光电子工程系,武汉,430074;武汉理工大学物理学系,武汉,430063)

黄德修,孙军强,张新亮,高劭宏(华中科技大学光电子工程系,武汉,430074) 

刊 名： 光学学报  ISTIC EI PKU 英文刊名： ACTA OPTICA SINICA  年，卷(期)： 2003 23(8)  分类号： O437  关键词： 非线性光学   四波混频   半导体光放大器   有源光波导   弛豫过程   超高时间分辨  

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