光声谱研究多孔碳化硅的能带特性

光声谱研究多孔碳化硅的能带特性

报道了用UV光照射和不用UV光照射条件下形成的p型α-PSC以及原始SiC的光声光谱(PAS).从光声Rosenwaig-Gersho理论出发,计算出多孔SiC的吸收系数与能量的关系,得到多孔SiC的能隙低于原始SiC的能隙,并深入分析了能隙的变化原因,同时,对吸收边附近的吸收情况进行了讨论.

作 者： 李宜德 杜英磊 李纪焕 吴柏枚   作者单位： 李宜德,杜英磊(中国科学技术大学天文与应用物理系,合肥,230026)

李纪焕(国立公州大学化学系,韩国,公州)

吴柏枚(中国科学技术大学物理系,合肥,230026) 

刊 名： 物理学报  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2003 52(5)  分类号： O4  关键词： 光声光谱   多孔碳化硅   能隙  

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