适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质

适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质

研制了适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质,采用有源区内交替的张应变和压应变排列的混合应变量子阱结构,器件做成带有倾角的扇形.实验中发现该结构既抑制了激射又改善了器件的偏振灵敏性,实现了偏振灵敏度小于0.5 dB,100 mA偏置时可达0.1 dB.在较大的电流范围内,峰的半高全宽(FWHM)为40 nm.

作 者： 殷景志 刘素萍 刘宗顺 王新强 殷宗友 李正庭 杨树人 杜国同   作者单位： 殷景志,王新强,殷宗友,李正庭,杨树人,杜国同(吉林大学电子工程系,吉林,长春,130023)

刘素萍,刘宗顺(中国科学院半导体所,北京,100083) 

刊 名： 中国激光  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LASERS  年，卷(期)： 2003 30(1)  分类号： O436.3  关键词： 物理光学   InGaAsP   张应变阱   压应变阱   偏振不灵敏   增益介质  

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