电沉积条件对ITO/TiO2/CdS薄膜光电性能的影响

电沉积条件对ITO/TiO2/CdS薄膜光电性能的影响

采用电沉积方法,以ITO/TiO2薄膜为基底,在水体系中成功制备出ITO/TiO2/CdS复合半导体薄膜,通过光电流作用谱考查了该薄膜电极的光电性能.实验表明,电镀液的组成、实验温度可影响薄膜中CdS纳米粒子的生长,从而使不同条件获得的复合薄膜电极的光电转换效率不同,实验温度为40℃、电镀液的组成为CCd2+=0.02 mol·L-1,CS2O23-=0.10 mol·L-1,pH=2.0条件下沉积所得的ITO/TiO2/CdS薄膜电极,在400nm～500nm波长范围内具有较强的光吸收,也有较高的光电转换效率.

作 者： 池玉娟 付宏刚 张恒彬 潘凯 齐乐辉 Chi Yu-juan Fu Hong-gang Zhang Heng-bin Pan Kai Qi Le-hui   作者单位： 池玉娟,付宏刚,Chi Yu-juan,Fu Hong-gang(哈尔滨工业大学,应用化学系,哈尔滨,150001)

张恒彬,潘凯,齐乐辉,Zhang Heng-bin,Pan Kai,Qi Le-hui(黑龙江大学,化学化工与材料学院,哈尔滨,150080) 

刊 名： 黑龙江大学自然科学学报  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF NATURAL SCIENCE OF HEILONGJIANG UNIVERSITY  年，卷(期)： 2007 24(6)  分类号： O644  关键词： 电沉积   硫化镉   复合薄膜   光电性能  

【电沉积条件对ITO/TiO2/CdS薄膜光电性能的影响】相关文章：

铟锡氧化程度对ITO薄膜光电特性的影响04-27

Ag掺杂对ZnO薄膜的光电性能影响04-26

焙烧温度对TiO2薄膜的光催化氧化性能的影响04-29

低压MOCVD生长TiO2薄膜结构和电性能研究04-29

沉积液配比和沉积时间对TiO2薄膜光催化净化H2S的影响04-26

V2O5掺杂对TiO2纳米复合薄膜性能的影响04-26

Ti/TiO2多层膜的光电性能研究04-28

柔性ITO衬底电化学沉积制备Cu/Cu2O薄膜04-29

衬底温度对沉积的NiTi薄膜晶化行为的影响04-28

热处理对氧化钨薄膜结构和电致变色性能的影响04-26