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FeCuNbSiB多层膜的磁化特性与巨磁阻抗效应
用射频磁控溅射法制备了FeCuNbSiB多层膜,制备态样品的GMI效应在驱动电流频率为12MHz时达到最大,为44.3%.利用复数磁导率和等效电路讨论了该多层膜的磁化过程,及与GMI效应的关系.外加直流磁场抑制磁畴运动,在等效电路中与抵消并联电路相关.样品磁化的特征弛豫频率在12MHz左右,与出现最大磁阻抗变化的频率接近.
作 者： 林宏 袁望治 赵振杰 程金科 辛宏梁 吴志明 阮建中 杨燮龙 LIN Hong YUAN Wang-zhi ZHAO Zhen-jie CHENG Jin-ke XIN Hong-liang WU Zhi-ming RUAN Jian-zhong YANG Xie-long 作者单位： 华东师范大学物理系,上海,200062 刊 名： 功能材料与器件学报 ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES 年，卷(期)： 2007 13(6) 分类号： O482.5 O442 O484 关键词： 巨磁阻抗效应 磁导率 弛豫频率 等效电路【FeCuNbSiB多层膜的磁化特性与巨磁阻抗效应】相关文章：
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