Sol-Gel法制备ZnO:Cd薄膜及结构特性研究

Sol-Gel法制备ZnO:Cd薄膜及结构特性研究

采用Sol-Gel法,结合旋转涂覆技术在Si(100)衬底上制备了ZnO:Cd薄膜,并对其在600～800 ℃热处理.X-射线衍射仪(XRD)结果表明,ZnO:Cd薄膜具有与ZnO同样的六角纤锌矿结构,且随着热处理温度的升高,(002)衍射峰的强度逐渐增强.峰半高宽(FWHM,ZnO(002))不断减小,并沿c轴择优取向生长;Cd掺杂后,未出现CdO或其他镉化物等杂质相,但在(002)峰-峰顶出现了分叉(多峰)现象.随着退火温度的升高,多峰消失,但这方面的报道甚少.扫描式电子显微镜(SEM)显示ZnO:Cd晶粒粒径分布情况及表面形貌特征.以石英为基片的透射光谱实验计算表明,ZnO:Cd薄膜的禁带宽度平均为3.10 eV;800 ℃,x(Cd)=8%样品的禁带宽度为2.80 eV,比纯ZnO晶体禁带宽度(3.30 eV)明显减小,这说明适度掺镉可降低薄膜的光学禁带宽度.

作 者： 陈瀚 邓宏 CHEN Han DENG Hong   作者单位： 陈瀚,CHEN Han(电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;四川机电职业技术学院,四川,攀枝花,617000)

邓宏,DENG Hong(电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054) 

刊 名： 压电与声光  ISTIC PKU 英文刊名： PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS  年，卷(期)： 2007 29(6)  分类号： O782  关键词： Sol-Gel法   光学禁带   透射光谱   ZnO:Cd薄膜  

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