SrGa2O4:Eu的合成及其发光性能

时间:2023-04-30 20:28:15 数理化学论文 我要投稿
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SrGa2O4:Eu的合成及其发光性能

采用固相反应法合成了掺杂Eu3+离子的SrGa2O4,用X射线粉末衍射对其结构进行了表征.XRD 数据经计算机处理表明:SrGa2O4属单斜晶系,晶胞参数a=0.943nm,b=0.900nm,c=0.839nm,β=89.06°,属P21/c(No.14)空间群.测定了激发光谱和发射光谱,光谱数据表明:SrGa2O4:Eu3+荧光粉的发射主峰在610nm,证明Eu3+离子占据了非反演对称中心的位置.在掺杂Eu3+离子摩尔分数大于1%时,由于晶体场的影响,位于590,610nm附近的2个发射峰均出现劈裂现象,即有2个5D0→7F1 (586, 597 nm) 和2个5D0→7F2(609, 615 nm) 发射峰,7F2劈裂出两个分支的强度比例随Eu3+浓度的变化而变化.

作 者: 刘晴 李友芬 LIU Qing LI You-fen   作者单位: 北京化工大学,新型高分子材料的制备与加工北京市重点实验室,北京,100029  刊 名: 发光学报  ISTIC PKU 英文刊名: CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年,卷(期): 2007 28(6)  分类号: O482.31  关键词: SrGa2O4   发光   能级劈裂  

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