双曲正割平方势与量子阱的电子跃迁

双曲正割平方势与量子阱的电子跃迁

引入了双曲正割平方势来描述超晶格量子阱中的电子运动, 利用这个相互作用势把电子的Schr?dinger方程化为了超几何方程, 并以Ga1-xAlxAs/GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱为例计算了电子的带间跃迁.结果表明,阱内的能级数目和跃迁能量与系统参数有关.于是,可望通过对势阱参数的控制来得到不同光电特性的量子阱材料.

作 者： 胡西多 罗诗裕 邵明珠 HU Xi-duo LUO Shi-yu SHAO Ming-zhu   作者单位： 东莞理工学院,电子工程系,广东,东莞,523106  刊 名： 半导体光电  ISTIC PKU 英文刊名： SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS  年，卷(期)： 2007 28(5)  分类号： O471.5  关键词： 超晶格   量子阱   超几何方程   单粒子能级  

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