柔性ITO衬底电化学沉积制备Cu/Cu2O薄膜

柔性ITO衬底电化学沉积制备Cu/Cu2O薄膜

研究了使用电化学沉积法于碱性条件下在柔性ITO衬底上制备Cu/Cu2O薄膜的方法.循环伏安曲线表明Cu2O与Cu的阴极峰分别位于-500 mV(vs Ag/AgCl)和-800 mV(vs Ag/AgCl)附近.利用循环伏安法考察了生长温度和电解液pH值等对Cu2O与Cu阴极峰电位的影响,阴极峰随生长温度的升高以及pH值的降低而略向阳极移动,沉积电流也随之相应增大.与弱酸性条件相比,上述两个阴极峰随pH值升高而移动的程度明显减小,这可能与碱性条件下C3H6O电离程度增大以及C3H6O根作为配体的过量程度有关.通过X射线衍射光谱和扫描电子显微镜的表征证实,在所研究的生长温度区间和pH值内可利用电化学沉积法在柔性ITO衬底上制备Cu/Cu2O纳米混晶薄膜.在相同的生长温度和pH条件下,电化学沉积电位对样品表面形貌和晶体性质具有较大影响.

作 者： 董林 马莹 李豪 贾晓林 DONG Lin MA Ying LI Hao JIA Xiao-lin   作者单位： 郑州大学,材料科学与工程学院,河南,郑州,450001  刊 名： 发光学报  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2007 28(5)  分类号： O484.1  关键词： Cu2O   电化学沉积   柔性衬底  

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