纳米Hg2Cl2/Al2O3有序阵列体系的制备和表征

纳米Hg2Cl2/Al2O3有序阵列体系的制备和表征

纳米结构材料由于其独特的物理化学性质以及在微电子器件、光开关等方面的应用而备受关注. 多孔氧化铝由于具有孔径分布较窄、取向一致和孔密度高等优点而广泛用于模板制备纳米结构材料. 在多孔氧化铝中可以组装金属纳米粒子[1]、半导体纳米粒子[2]、导电高分子[3]以及碳纳米管[4]等.

作 者： 王银海 牟季美 蔡维理 姚连增 刘艳美   作者单位： 王银海,刘艳美(安徽大学物理系,合肥,230039)

牟季美,蔡维理,姚连增(中国科学技术大学材料科学与工程系,合肥,230026) 

刊 名： 高等学校化学学报  ISTIC SCI PKU 英文刊名： CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES  年，卷(期)： 2002 23(7)  分类号： O614.24 O612.7  关键词： 模板合成   甘汞   有序阵列   电沉积  

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