离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究

离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究

采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的GaAs/AlGaAs非对称耦合量子阱单元,通过光致荧光谱测量,研究了单纯的离子注入导致的界面混合效应.荧光光谱行为与有效质量理论计算研究表明,Al原子在异质结界面的扩散在离子注入过程中已基本完成,而热退火作用主要是去除无辐射复合中心.

作 者： 陈贵宾 陆卫 缪中林 李志锋 蔡炜颖 沈学础 陈昌明 朱德彰 胡钧 李明乾   作者单位： 陈贵宾,缪中林(中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083中国科学院上海原子核研究所核分析技术开放实验室,上海,201800)

陆卫,李志锋,蔡炜颖,沈学础(中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083)

陈昌明,朱德彰,胡钧,李明乾(中国科学院上海原子核研究所核分析技术开放实验室,上海,201800) 

刊 名： 物理学报  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2002 51(3)  分类号： O4  关键词： 量子阱   离子注入   光致荧光谱   界面混合  

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