355nm激光作用下Si(CH3)4分子的MPI质谱研究

355nm激光作用下Si(CH3)4分子的MPI质谱研究

在355 nm的激光作用下,利用扩散分子束技术和四极质谱装置相结合研究了气相Si(CH3)4分子多光子电离(MPI)质谱分布.测量了Si(CH3)+4,Si(CH3)+3,Si(CH3)+2,Si(CH3)+及Si+离子的激光光强指数,检测了这5种碎片离子的信号强度占总信号强度的分支比随光强的变化关系.据此,讨论了该分子MPI过程可能经历的通道,得到了Si+主要来自于母体分子的多光子解离-硅原子的电离,Si(CH3)+n(n=1,2,3)主要来自于中性碎片Si(CH3)n(n=1,2,3)的自电离,Si(CH3)+4来自于母体分子的(3+1)电离的结论.

作 者： 刘玉芳 施德恒 孙金锋   作者单位： 刘玉芳,孙金锋(河南师范大学物理系,河南新乡,453002)

施德恒(河南师范大学物理系,河南新乡,453002;空军第一航空学院基础部,河南信阳,464000) 

刊 名： 中国激光  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LASERS  年，卷(期)： 2002 29(3)  分类号： O657.63  关键词： 四甲基硅   多光子解离电离   多光子电离解离   反应动力学   质谱  

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