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PIN二极管的高功率微波响应
利用自行编制的半导体器件模拟程序mPND1D(采用时域有限差分方法,求解器件内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性方程组),对PIN二极管微波限幅器在高功率微波激励下的响应进行了计算,比较了不同条件下的计算结果,并对二极管微波响应截止频率作了探讨.计算结果表明:随着激励源幅值的升高,器件截止频率增大;随着脉冲长度减小,器件截止频率降低;随着器件恒定温度值升高,截止频率下降.
作 者： 余稳 聂建军 郭杰荣 周传明 张义门 作者单位： 余稳(西安电子科技大学,微电子研究所,陕西,西安710071;常德师范学院,电子学研究所,湖南,常德,415000)聂建军,郭杰荣(常德师范学院,电子学研究所,湖南,常德,415000)
周传明(中国工程物理研究院,应用电子学研究所,四川,绵阳,621900)
张义门(西安电子科技大学,微电子研究所,陕西,西安710071)
刊 名： 强激光与粒子束 ISTIC EI PKU 英文刊名： HIGH POWER LASER AND PARTICLE BEAMS 年，卷(期)： 2002 14(2) 分类号： O475 O241.82 关键词： 二极管限幅器 高功率微波 截止频率【PIN二极管的高功率微波响应】相关文章：
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