Y2O3涂层的MOCVD法制备工艺

Y2O3涂层的MOCVD法制备工艺

采用MOCVD法,通过金属有机先驱体Y(TMHD)3与O2反应在石英或CVD-SiC基片上制备Y2O3涂层,探索了制备工艺对沉积结果的影响.结果表明,先驱体气相浓度对Y2O3涂层生长方式和涂层与基片的结合强度有很大影响;沉积温度在600℃～700℃范围内,随着温度的升高涂层致密度提高,空洞缺陷减少.

作 者： 付正 张立同 成来飞 龚磊 何国梅 罗立志 夏海平   作者单位： 付正,张立同,成来飞(西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室)

龚磊,何国梅,罗立志,夏海平(厦门大学化学化工学院) 

刊 名： 航空制造技术  ISTIC 英文刊名： AERONAUTICAL MANUFACTURING TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2007 ""(z1)  分类号： V2  关键词： 氧化钇   化学气相沉积   金属有机先驱体   基片  

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