Hg1-xCdxTe中杂质对及双空位深能级的研究

Hg1-xCdxTe中杂质对及双空位深能级的研究

以A.Kobayashi等的半经验紧束缚模型和Hjalmarson-Vogh-Wolford-Dow深能级理论为基础,计算了Hg1-xCdxTe中阳离子位替代式杂质(包括N,O,C)与最近邻替代式杂质形成sp3键杂质对后阳离子位杂质A1对称性深能级的变化以及最近邻理想双空位(Vc,Va)的深能级.计算结果表明:阳离子位杂质A1能级的变化取决于与其配对杂质的电负性,杂质对a1能级组分依赖关系dE/dx小于阳离子位单杂质A1能级的dE/dx,大于阴离子位单杂质T2能级的dE/dx,不同杂质对的dE/dx基本相同;理想双空位(Vc,Va)在能隙或近能隙区域产生一个a1态深能级,该能级的dE/dx很小,对于CdTe,位置在0.5eV,对于x＜0.37的Hg1-xCdxTe,该能级成为导带共振态.

作 者： 刘晓华 介万奇 刘俊诚 Liu Xiaohua Jie Wanqi Liu Juncheng   作者单位： 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072  刊 名： 航空学报  ISTIC EI PKU 英文刊名： ACTA AERONAUTICA ET ASTRONAUTICA SINICA  年，卷(期)： 1998 ""(1)  分类号： V252.2  关键词： Hg1-xCdxTe   深能级   杂质对   双空位  

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