笔试题（卡诺图）
21、逻辑方面数字电路的卡诺图化简，时序（同步异步差异），触发器有几种（区别，优
点），全加器等等，
笔试题（卡诺图）
。（未知）22、卡诺图写出逻辑表达使。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）
23、化简F(A,B,C,D)= m(1,3,4,5,10,11,12,13,14,15)的和。（威盛）
24、please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P-
well process.Plot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the
operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve? （威
盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09）
25、To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define
the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?
26、为什么一个标准的倒相器中P管的`宽长比要比N管的宽长比大？（仕兰微电子）
27、用mos管搭出一个二输入与非门。（扬智电子笔试）
28、please draw the transistor level schematic of a cmos 2 input AND gate and
explain which input has faster response for output rising edge.(less delay
time)，
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《笔试题（卡诺图）》(https://www.unjs.com)。（威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09）29、画出NOT,NAND,NOR的符号，真值表，还有transistor level的电路。（Infineon笔
试）
30、画出CMOS的图，画出tow-to-one mux gate。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）
31、用一个二选一mux和一个inv实现异或。（飞利浦－大唐笔试）
32、画出Y=A*B+C的cmos电路图。（科广试题）
33、用逻辑们和cmos电路实现ab+cd。（飞利浦－大唐笔试）
34、画出CMOS电路的晶体管级电路图，实现Y=A*B+C(D+E)。（仕兰微电子）
35、利用4选1实现F(x,y,z)=xz+yz'。（未知）
36、给一个表达式f=xxxx+xxxx+xxxxx+xxxx用最少数量的与非门实现（实际上就是化
简）。
37、给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图，根据输入波形画出各点波形。
（Infineon笔试）
38、为了实现逻辑（A XOR B）OR （C AND D），请选用以下逻辑中的一种，并说明为什
么？1）INV 2）AND 3）OR 4）NAND 5）NOR 6）XOR 答案：NAND（未知）
39、用与非门等设计全加法器。（华为）
40、给出两个门电路让你分析异同。（华为）
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