奇码硬件开发类笔试题目
奇码笔试真题(一)
第一卷
一,填空
奇码笔试1,集成电路的分类,按资料,工艺
奇码笔试2,集成电阻的计算,以及其制造工艺
奇码笔试3,Vtp,Vtn的正负判别,分别关于加强型和耗尽型
奇码笔试4,CMOS电路功耗包括哪两个局部,功耗设计主要思索的.要素
二,填表
全定制,门阵列,FPGA各自单元模块,连线的性质
三,填图
CMOS工艺流程填图画图
四,问答
奇码笔试1,CMOS单元负载较大的电容时,只要进步W,这样会使W*L增加,相对前级又时一个大电容,如何处理这一矛盾?
奇码笔试2,分离软件谈谈全定制集成电路设计流程
奇码笔试3,谈谈对Layout设计的见地
五,翻幅员或者画幅员,选一
第二卷
奇码笔试1,什么时格雷码?
奇码笔试2,Nyquist采样定例
奇码笔试3,球一米高落下,每次探起一半,求路途和重力做功
奇码笔试4,运算放大器1,…………2,有几级,各级之间耦合方式有几种,剖析各种的优劣,
奇码硬件开发类笔试题目
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