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ZnS掺Mn的电子结构研究
用自旋极化的LSD-LMTO(Local-Spin-Density L-near Muffin-Tin-Orbital Method)方法,对ZnS掺入Mn发光中心的电子结构进行了大型超原胞模拟计算.在自洽收敛的条件下,先对纯ZnS调节计算参数(原子球、空球占空比),使计算的带隙Eg=3.23 eV;然后用原子球替代方式自洽计算杂质密度在Eg中的相对位置,模拟计算了在六角结构ZnS中掺入不同浓度的Mn杂质后有关的杂质能级在Eg中的相对位置.计算结果表明:(1)单个缺陷的杂质能级性质与配位场理论结果相符合,直接用杂质态密度来表示;(2)掺入杂质的浓度对杂质能级位置的影响不大,这与实验结果相一致.
作 者: 沈汉鑫 沈耀文 作者单位: 沈汉鑫(龙岩师范高等专科学校计算机系,福建,龙岩,364000)沈耀文(厦门大学物理系,福建,厦门,361005)
刊 名: 高压物理学报 ISTIC EI PKU 英文刊名: CHINESE JOURNAL OF HIGH PRESSURE PHYSICS 年,卷(期): 2003 17(1) 分类号: O482.3 关键词: 超原胞 杂质能级 发光中心【ZnS掺Mn的电子结构研究】相关文章:
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